図4.2.11　CdSセルの照度一抵抗特性

図4.2.12　光量の電圧変換回路

　

図4.2.13に受光素子で検出したアーク光量と裏ビード形状の関係を示す。検出光量は図4.2.12に示す回路により電圧値に変換してある。

　

図4.2.13　光量検出電圧と裏ビードの関係(先行ビードのみ)

　

このように裏ビード形状と裏面光量との間には良い相関関係がありこの裏面光量を利用した裏ビード制御を検討した。

図4.2.14に裏ビード制御の結果の一例を示す。制御方法は光検出電圧によりアーク発生位置を上下に微調整することで行っている。図に示すようにほぼ一定した裏ビード形状が得られた。

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