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図1・46 差動増幅器の薄膜集積回路

 

モノリシックは単体の意味で、写真技術で回路を描き、写真食刻、蒸着や拡散技術で単一基板内にLCRの受動素子とダイオードやトランジスタの能動素子から配線までを集約した電子回路を構成する。大量生産に向き信頼性が高いICができる。

製法は、P又はN型半導体基板上に回路パターンを写真焼き付けする。図1・47はN型基板にNPN及びPNPトランジスタを形成する場合を示す。N型シリコン基板上に酸化シリコンS1O2の薄膜絶縁層を形成して、電子回路パターンを写真焼き付ける。トランジスタを形成する部分の絶縁層を化学的薬品処理で取り除きインジウムやガリウム等の不純物を蒸着注入するとNからP型に反転する。さらに砒素やアンチモンなどを注入すると再びPからN型に反転するのでNPN層が形成される。同様に不純物材料を選ぶとPNPトランジスタが形成できる。

 

 

 

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