図1・45　半導体素子の名称(日本工業規格)

　

1・3・9　集積回路(Integrated Circuit: IC)―薄膜IC、モノリシックIC

半導体素子を小さくして電子回路を集約したものを略してICと呼ぶ。ICはチップ当たりの素子数(集積度)が多くなるに従ってLarge Scale Integration: LSI、Very Large Scale Integration: VLSI、Ultra Large Scale Integration: ULSIと呼ばれる。LSIは素子の加工寸法が1μm、集積度が10₆程度であったがULSIでは0.1μm、10₈のICができるようになってきた。

IC回路の構成と製作法により薄膜型ICとモノリシック型ICに分類される。薄膜型は半導体材料で薄い膜状のR、L、C素子を作り基板上で回路を組み立てるICで、トランジスタのような能動素子を基板上に外付けをする混成集積回路(ハイブリットIC)もある。

集積度は高くできないが製作工程が簡単で、変更が容易、大電力に対応できるなどの利点がある。図1・46に薄膜集積回路による差動増幅回路の基板上のパターンと実際のIC回路を示す。

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