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表 H2.7.1-2. ミクロ環境条件の汚染度1における制御用器具の絶縁距離の最小値

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表 H2.7.1-3. ミクロ環境条件の汚染度2における制御用器具の絶縁距離の最小値

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(備考)

(1) 空間距離L-Lは、裸充電部間及び充電部と接地金属体との間に適用する。

(2) 空間距離L-Aは、充電部と偶発的に危険となり得る金属体との間に適用する。

(3) 沿面距離は、絶縁物の種別及び形状によって決める。

“a”は、セラミック(ステアタイト、磁器)及び他の絶縁材料でも、特に漏れ電流に対し安全なリブ又は垂直面をもった絶縁物で、実験的にセラミックを用いたと同様と認められるもので、トラッキングインデックス140V以上の材料(例えば、フェノール樹脂成形品等)に適用する。“b”は、その他の絶縁材料の場合に適用する。

 

 

 

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