2.7.2 周囲条件

−1.　半導体組込み器具は、55℃の周囲温度で適切に動作するものでなければならない。

−2.　制御用器具は、いずれの方向に45度傾斜させても不具合な切換え動作や状態変化が起こってはならない。ただし、電磁接触器は 2.6.3−2.(1)によるものとする。

　

表H2.10　制御用器具の絶縁距離の最小値

　

(備考)

(1)　空間距離L-Lは、裸充電部間及び充電部と接地金属体との間に適用する。

(2)　空間距離L-Aは、充電部と絶縁が劣化することによって充電部となる絶縁金属体との間に適用する。

(3)　沿面距離は、絶縁物の種別及び形状によって決める。

“a”は、セラミック(ステアタイト、磁器)及び他の絶縁材料であって、特に漏れ電流に対し安全なリブ又は垂直面をもった絶縁物で、実験的にセラミックを用いたと同様と認められるもので比較トラッキングインデックス(CTI)140以上の材料(例えば、フェノール樹脂成形品等)に適用する。

　

　

　

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