エミッタ接地は増幅率が大きく一般によく使用されているので、ここではエミッタ接地増幅回路について述べる。

図3・2に低周波用のエミッタ接地トランジスタ増幅回路の一例を示す。図の回路は図2・19(b)の負荷として抵抗R_Lを使用し、 結合コンデンサC_Cを通して次段と結合しているので、CR結合増幅回路と呼ばれている。トランジスタはNPN形のものなので、コレクタ側が(+)になるように電源が接続されている。

　

図3・2　エミッタ接地増幅回路

　

(1)　バイアス回路

図3・2の回路において、入力信号がまだ加えられていない場合を考える。バイアス抵抗R₁,R₂を適当に選び、 V_BEが図2・23(III)のカットオフ電圧より高くなるとベース電流I_Bが流れはじめ、同時にコレクタ電流I_Cが流れはじめる。このときエミッタ電圧V_EはI_Cのため、R_E×I_C(I_BはI_Cに比べてきわめて小さいので省略できる。)にまで上がるが、 VBEがカットオフ電圧以上であれば、 I_BとI_Cは流れ続け、回路は動作状態となる。

このI_Bをベース・バイアス電流と呼び、同回路のR_Eも含めたバイアス回路を電流帰還形と呼ぶ。このほかにも固定バイアス回路、自己バイアス回路がある。

ベース・バイアス電流の必要性は次のように説明される。(以下、直流に重畳される交流電圧・電流は小文字で表す。)

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