また、ゲートが二つに分かれていて4本足のものもある。

　

図2・26　MOS形FETの構造

　

図2・26はMOS形のFETの基本構造を示したものである。MOSとは上から金属(G電極)、酸

化被膜そして半導体があるからで、MetalのM、OxideのO、Semi-conductor のSの三層からなっていることからそう名付けられたものである。このようなときに、電極DとSの間にV_DSという電圧を加えても、D電極に接続されているN形半導体と、P形の基板の間は逆バイアスになっているので電流は流れない。ところが、金属電極Gにマイナスの電圧V_GSを加えると薄い酸化被膜S₁　O₂を通してP形基板に電界がかゝり、P形半導体内の電子がG電極の下に集まってきて、電子が余分になる逆転層ができて、D(ドレーン)とS(ソース)の間にチャンネルができるので、電流を流すことができるようになる。こうして、G(ゲート)に加えられる電圧によってDS間の電流を制御することができることになる。

　

2・5　規格表の見方

2・5・1　トランジスタとダイオードの名称

トランジスタとダイオードの名称はJISにより表 2・1のように定められている。

　

表2・1　トランジスタの名称

　

2・5・2　規格表の例

表 2・2に例として2SC372,2SC373 の規格表を示す。最大定格、電気特性、h定数の各項目については、すでにこの章の4・3・3節で述べた。

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