外観は普通のトランジスタと変わらない。FETと普通のトランジスタの大きな相違は、2・3・2章で説明したようにトランジスタが電流で制御されるのに対して、FETは電圧で制御されるというところにある。そのためにFETの入力インピーダンスはきわめて大きく、接合形で 10⁷〜10¹¹Ω、MOS形で10¹⁰〜10¹⁴Ω程度である。

　

2・4・2　FETの動作原理

　

図2・25　接合形FETの基本構造(a)と動作(b)

　

図2・25は接合形FETの基本構造を示したものである。図のようにN形半導体の両側にソースとドレインと呼ばれる電極があり、その中間にP形のゲートと呼ばれる電極がある。

いま、図のようにソースとドレイン間に電池V_DSをつなぐと、ソースに注入された電子は(+)のドレイン電極のほうに引きつけられ、ドレインからソースに向かって電流が流れる。この電流の流れる部分をチャンネルと呼び、この場合はN形半導体なのでNチャンネルと呼ばれる。次にソースとゲート間に、逆バイアス(ゲートが(-)になるように電池V_GSをつなぐと、ゲート付近の電子は反発されて図に示すように空乏層を生じ、しかもこの空乏層は逆バイアス電圧が高くなるほど広がるので、ソース・ドレイン間の電流は制限を受けることになる。このことから、ソース・ゲート間に入力信号電圧を加えることにより、ソース・ドレイン間の電流(出力電流)が変化して、信号の増幅が行えることがわかる。ゲートにN形半導体をチャンネル部にP形半導体(Pチャンネル)を用いるものもある。ソースがトランジスタのエミッタに、ドレインがコレクタに、ゲートがベースに対応している。

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