ICの単位となっているトランジスタとの相違点は、基板であるシリコンを幾つもの用途に使うことで、このため一枚の基板を、動作的には独立の素子に分離しなければならない。このためには、P型の基板であれば、図6・2の(a)に示すようにN型の部分を作って分離（PN接合分離）したり、同図(b)に示すようにSi02の絶縁層を作ったり（絶縁層分離）、あるいは素子の部分を削り落としたり（空気層分離）する。

　ICの中に抵抗を作るには、半導体自身を抵抗に使う場合と、SiO2の上に薄膜を付けてそれを抵抗にする場合とがある。コンデンサはダイオードの障

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