6・2 ICの構造
ICを作る方法は、ある種のトランジスタの製作とかなりの部分で共通性がある。すなわち、原料のけい石から高純度のシリコンを精製して、更にそれを単結晶にする。この単結晶のシリコンを薄く輪切にして、表面を鏡面仕上げする（これをウェハーという）。が、これをそのまま使う方法と、エピタキシャル成長（epitaxial growth）と称して、シリコンの単結晶を反応管の中に入れて加熱し、四塩化けい素（ SiCl4）と水素（H2 ）の混合ガスを送り込んで、その表面にシリコンを析出させて層を作る方法とがある。
この前記混合ガスの水素の代わりに炭酸ガス（ CO2）を使用すると、シリコンの酸化膜（ SiO2）が成長する。
こうして作ったシリコンの酸化膜に図6・1に示すように、感光剤を塗り、これに写真の感光をさせて現像をすると、露光をしていない感光剤は溶け去るので、その後、蝕刻液でその部分の酸化膜を溶力して、シリコン部分を露出させて、残った感光剤は除去する。こうやってできたシリコンの露出部には、ドナーやアクセプタの不純物を“部分的に”拡散させたり、SiO2 の上に薄膜を付着させたりする。更に、必要に応じて電極を圧着する。
