4・3 トランジスタ

4・3・1 トランジスタの構成

　トランジスタは図4・14(a)のように非常に薄いN形半導体を、二つのP形半導体の間にサンドイッチのように挟んで接合した構造になっている。これをPNP形トランジスタと呼び、回路図上では図4・15(a)の記号で示される。これとは逆に図4・14(b)のようにP形の半導体をN形の半導体で挟んだものをNPN形トランジスタと呼び、図4・15(b)の記号で示される。

　トランジスタは製法により種々の名前が付けられ、構造や特性も異なるが、基本的な動作原理はいずれも同じである。主なものとして、合金接合形トランジスタ、ドリフト形トランジスタ、メサ形トランジスタ、エピタキシャルメサ形トランジスタ、プレナ形トランジスタなどがある。

4・3・2 トランジスタの動作原理

NPN形トランジスタに図4・1 6(c)のように電池をつなぐと、ダイオードの逆バイアスに相当するから電流はほとんど流れない。次に図(d)のように左側のN形の部分と中央のP形の部分に、N形が−、P形が＋になるように別の電池を接ぐと、左側のNP接合の部分は順バイアスとなって、N形の部分からP形の部分に向かって電子が流れ込む。ところがP形の部分は非常に薄く作られてい

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