図1・38　ベース接地型増幅器

　

記号による電流変化分をΔiで示す。入力Δi_eと出力Δi_Cとの比が電流増幅率αとなる

通常、αは0.90〜0.99の値となる。入力エミッタ側はP→Nの順方向へ電流が流れるので入力抵抗Z_iは小さく10〜200Ωであるが、出力コレクタ側はN→Pの逆方向にバイアス電圧が加えてあるので電流が流れにくくなり出力抵抗Z_Oは大きくなり通常Z_Oは100kΩ以上の値となる。不力電力と出力電力との比が電力利得A_pとなる。

α≒1とすると電力利得は入力と出力側の抵抗比となる。Z₁＝100Ω、Z_O＝100kΩとすると、A_P＝1000倍の電力増幅器となる。

図1・39にPNPトランジスタによるエミッタ接地、ベース入力増幅回路を示す。大きい電圧増幅度があり、入力抵抗が大きいので標準型増幅器として用いられる。入力のベース電流変化Δi_Bと出力コレクタ電力変化Δi_Cの比が電流増幅度βとなり

分子と分母をΔieで割るとαで表されて

となる。αは1より小さいがβは1より大きくなる。α=0.99とするとβ=99となる。

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