図1・30にショットキーダイオードの構造と記号を示す。半導体間PN接合の代わり金属と半導体間の接合を用いると電子と正孔の移動が速くなり高速用ダイオードとなる。アルミ電極Aとシリコンに軽く不純物を入れたn半導体間で整流が行われる。この電子は右側の不純物が多いn^＋からアルミ電極を通して取り出される。AからCの方向への電流が流れる。ショットキーダイオードは高速スイッチ回路等に使用される。

　

図1・30　ショットキーダイオードの構造と記号

　

定電圧ダイオード(ツェナーダイオード)；

ダイオードに逆方向電圧を加えるとある範囲で電流が変化してもダイオード両端の電圧が一定に保たれる性質を利用して安定した電圧を作り出すダイオードがある。この性質をツェナー効果又は降伏現象と呼ぶ。図1・31に示すようにシリコン材料に不純物を多く加えるほどこの降伏電圧が大きくとれる。

　

図1・31　ツェナーダイオードの電圧・電流特性

　

可変容量ダイオード(バリキャップ)；

ダイオードを可変できる静電容量(コンデンサ)として使用するのが可変容量ダイオードである。英語名からバリキャップ又はバラクタダイオードとも呼ばれる。

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