(a) ミクロ環境条件の汚染度3で定格絶縁電圧250V以下のもの及びミクロ環境条件の汚染度2で定格絶縁電圧が125Vを超えるものにあっては、リブの高さ1mm未満の場合。
(b) ミクロ環境条件の汚染度3で、定格絶縁電圧が250Vを超えるものにあっては、リブの高さ2mm未満の場合。
(5) 前(1)及び(2)において、充電部間にある絶縁物に他のリブをはめ込む場合、そのはめ込み部分の長さが絶縁物のみぞの深さより小さい場合には、リブのはめ込み部分に沿った最短距離で沿面距離を決定する。
(6) 前(5)でリブを同一絶縁物とみられるようにはめ込んだ場合は、リブの表面に沿った最短距離で沿面距離及び空間距離を決定する。
(7) 対地空間距離及び対地沿面距離は、それぞれ(1)及び(2)に準じ、最短距離で決定する。
(8) 絶縁が劣化することによって、充電部となる絶縁金属体を有するものの空間距離及び沿面距離は、(3)によって決定する。
