外観は普通のトランジスタと変わらない。FETと普通のトランジスタの大きな相違は、2・3・2章で説明したようにトランジスタが電流で制御されるのに対して、FETは電圧で制御されるというところにある。そのためにFETの入力インピーダンスはきわめて大きく、接合形で107〜1011Ω、MOS形で1010〜1014Ω程度である。
2・4・2 FETの動作原理
図2.25は接合形FETの基本構造を示したものである。図のようにN形半導体の両側にソースとドレインと呼ばれる電極があり、その中間にP形のゲートと呼ばれる電極がある。