6]接合部許容温度T_jと保存温度T_stg

トランジスタの接合部の温度がT_jを越えると特性が劣化して不良になるので、この値を規格表でよく確認すること。ゲルマニウムトランジスタでは70℃〜100℃、シリコントランジスタでは150℃〜180℃である。またT_stgとは保存しておく場合の許容温度で、ゲルマニウムでは−55℃〜75℃、シリコンでは−65℃〜175℃である。

7]安全動作領域と二次降伏

トランジスタを破壊させたり、劣化させることなく、高い信頼度で使用できる領域を安全動作領域(area of safe operation、ASO)と呼んでいる。このASOは最大電圧、最大電流、及び最大コレクタ損失で与えられるが、このほか、つぎに述べる二次降伏現象によっても影響を受ける。この二次降伏は(secondary breakdown)はコレクタとエミッタの間の電圧をあげていき、それが(6)の2]に示したV_CEOをこえると一次降伏がおきるが、そのあと、さらにコレクタ電流を増加させていくと、ある電流と電圧の関係のところで急に電圧一電流特性が低インピーダンスの関係に変わるところがあり、こゝで、トランジスタのエミッタとコレクタが短絡して破壊してしまう現象である。このような二次降伏のおきる電圧-電流点はトランジスタの普通の動作点近くにあり、トランジスタの入力回路条件、負荷条件、パルス動作の場合の条件、及び周囲温度などによってその点が変化をするので、注意を要する。なお、これらのデータは、一般の特性表では求められないので、製造者などから別に情報を求める必要がある。

　

2・4　電界効果形トランジスタ

　

2・4・1　概要

電界効果形トランジスタ(Field Effect Transistor)は英語の頭文字を取ってFETと呼ばれている。これにはその製造法から接合形とMOS(Metal Oxide Semiconductor)形の二種類があり、図2・24の記号で表される。

図2・24　FETの記号

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