(3)　低電力形(SN54L/SN74Lシリーズ)

図6・10に示すように基本ゲート回路は標準形と同じであるが、低電力にするために抵抗値を大きくしてある。標準形に比べて動作速度はゲート当たり33nsと遅いが、消費電力はゲート当たり1mWと標準形の役1/10で、電力消費と発熱制限がきびしい用途に適している。

　

図6・10低電力シリーズの基本ゲートの例

　

(4)　ショットキ形(SN54S/SN74Sシリーズ)

図6・11に示すように、ショットキ・バリアダイオード(Schottky Barrier Diode:SBD)を使用し、その順方向の電圧降下が低いという特性によってトランジスタの余分なベース電流のほとんどが分流され、トランジスタが十分飽和するのを阻止して、トランジスタのスイッチング時間を短縮することを主眼としている。平均伝搬遅延時間は3ns、ゲート当たりの消費電力は20mWである。

　

(5)　低電力ショットキ形(SN54LS/SN74LSシリーズ)

図6・12に示すように、入力はSBDによるダイオード構造で、動作スピードは標準形並みとし、消費電力の低減を主眼としている。平均伝搬遅延時間は10ns、ゲート当たりの消費電力は2mWである。

　

図6・11　ショットキ・シリーズの基本ゲート例

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