図4・26はMOS形のFETの基本構造を示したものである。MOSとは上から金属(G電極)、酸化被膜そして半導体があるからで、MetalのM、OxideのO、SemiconductorのSの三層からなっていることからそう名付けられたものである。このようなときに、電極DとSの間にV_DSという電圧を加えても、D電極に接続されているN形半導体と、P形の基板の間は逆バイアスになっているので電流は流れない。ところが、金属電極Gにマイナスの電圧V_GSを加えると薄い酸化被膜SiO₂を通してP形基板に電界が掛かり、P形半導体内の電子がG電極の下に集まってきて、電子が余分になる逆転層ができて、D(ドレーン)とS(ソース)の間にチャンネルができるので、電流を流すことができるようになる。こうして、G(ゲート)に加えられる電圧によってDS間の電流を制御することができることになる。

　

図4・26　MOS形FETの構造

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