4・4　電界効果形トランジスタ

4・4・1　概要

電界効果形トランジスタ(Field Effect Transistor)は英語の頭文字を取ってFETと呼ばれている。これにはその製造法から接合形とMOS(Metal Oxide Semiconductor)形の二種類があり、図4・24の記号で表される。外観は普通のトランジスタと変わらない。FETと普通のトランジスタの大きな相違は、4・3・2章で説明したようにトランジスタが電流で制御されるのに対して、FETは電圧で制御されるというところにある。そのためにFETの入力インピーダンスは極めて大きく、接合形で10⁷〜10¹¹Ω、MOS形で10¹⁰〜10¹⁴〔Ω〕程度である。

　

図4・24　FETの記号

　

4・4・2　FETの動作原理

図4・25は接合形FETの基本構造を示したものである。図のようにN形半導体の両側にソースとドレインと呼ばれる電極があり、その中間にP形のゲートと呼ばれる電極がある。

　

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