(4) トランジスタ
トランジスタは図2.70に示すように、PN接合のダイオードに、もう一つの半導体を追加して、三つの電極を付けた原理構造のもので、P形、N形半導体の接合配列の仕方によって、PNP形とNPN形の2種類がある。トランジスタはダイオードと同じく、ゲルマニウム又はシリコンを素材として作られるが、シリコントランジスタの方が耐熱特性が格段にすぐれているので、現在実用されているのは、殆んどがシリコントランジスタである。トランジスタの3極はPNP形及びNPN形の夫々につき図2.71のように示される。即ちPNP形接合の場合は、一方のP形をエミッタE、他のP形をコレクタC、中央のN形をベースBと呼ぶ。回路図記号で表示する場合は般に図2.71に示す表示法による。
