6・2　ICの構造

ICを作る方法は、ある種のトランジスタの製作とかなりの部分で共通性がある。すなわち、原料のけい石から高純度のシリコンを精製して、更にそれを単結晶にする。この単結晶のシリコンを薄く輪切りにして、表面を鏡面仕上げする(これをウエハーという)が、これをそのまま使う方法と、エピタキシャル成長(epitaxial growth)と称して、シリコンの単結晶を反応管の中に入れて加熱し、四塩化けい素(SiCl₄)と水素(H₂)の混合ガスを送り込んで、その表面にシリコンを析出させて層を作る方法とがある。

この前記混合ガスの水素の代わりに炭酸ガス(CO₂)を使用すると、シリコンの酸化膜(SiO₂)が成長する。

こうして作ったシリコンの酸化膜に図 6・1に示すように、感光剤を塗り、これに写真の感光をさせて現像をすると、露光をしていない感光剤は溶け去るので、その後、蝕刻液でその部分の酸化膜を溶かして、シリコン部分を露出させて、残った感光剤は除去する。こうやってできたシリコンの露出部には、ドナーやアクセプタの不純物を“部分的に”拡散させたり、SiO₂の上に薄膜を付着させたりする。更に、必要に応じて電極を圧着する。

前ページ　　　目次へ　　　次ページ