4・4 電界効果形トランジスタ

4・4・1 概要

電界効果形トランジスタ

(Field Effect Trans-istor)は英語の頭文字を取ってFETと呼ばれている。

　

図4・24　FETの記号

　

これにはその製造法から接合形とMOS(MetalOxide Semiconductor) 形の二種類があり、図4・24の記号で表される。外観は普通のトランジスタと変わらない。FETと普通のトランジスタの大きな相違は、4・3・2章で説明したようにトランジスタが電流で制御されるのに対して、FETは電圧で制御されるというところにある。そのためにFETの入力インピーダンスは極めて大きく、接合形で 10⁷〜10¹¹Ω、MOS形で10¹⁰〜10¹⁴〔Ω〕程度である。

　

4・4・2 FETの動作原理

図4・25は接合形FETの基本構造を示したものである。図のようにN形半導体の両側にソースとドレインと呼ばれる電極があり、その中間にP形のゲートと呼ばれる電極がある。

　

ドレインからソースに向かって電流が流れる。

　

図4・25　接合形FETの基本構造(a)と動作(b)

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