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関係を示したもので、VCE-IC 特性又はコレクタ特性と呼ばれる。この図からhFEとhoeが求められ、また、トランジスタの動特性も同時に考察することができる。図(II)はVCE一定のときのIB とIC の関係を示したもので、hFEを与え、かつ、hfeは同曲線のこう配から求められる。図(III)はベーター・エミッター間電圧VBEとIBの関係を示したもので、hieは同曲線のこう配から求められる。なお、IBれ始めるVBEをカットオフ電圧と呼び、この値はゲルマニュウムトランジスタで0.1V程度、シリコントランジスタでは0.6V程度である。

 

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図4・23 エミッタ接地回路の静特性

 

(6) 最大定格

これはトランジスタの寿命と信頼性を保つために、たとえ瞬時でも超えてはならないという最大の値を示したものである。

1] コレクタ・ベース間耐圧VCBO

エミッタを開放したときの、ベースとコレクタ間の最大許容電圧である。

この状態で流れる逆バイアス電流がコレクタ遮断電流ICBOである。

2] コレクタ・エミッタ間耐圧VCEO

ベースを開放したときの、コレクタとエミッタ間の最大許容電圧である。

3] エミッタ・ベース間耐圧VEBO

コレクタを開放したときの、エミッタとベース間の最大許容電圧である。

この状態での逆バイアス電流がエミッタ遮断電流IEBOである。なお、1],2]は通常の使用状態における最大許容電圧であるが、3]は何かの条件により逆電圧がエミッタ・ベース間にかかった場合の最大許容電圧である。

 

 

 

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