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温度が上がれば上がるほど加わるエネルギが増し、このような電子が増加する。もしこのような半導体の結晶に電圧が加えられると、結晶は電気を導き、温度が高いほどその伝導性はよくなる。

 

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4・1・4 N形半導体とP形半導体

Ge結晶を作るときに、不純物として価電子を5個もった物質、例えば砒(ひ)素Asを添加するとGe原子の来るべき位置にAsの原子が図4・4 のように入り込む。このとき5個の価電子のうち4個は周囲のGe原子と共有されるが、残る1個の電子には共有される相手がない。このような電子は、外部からの熱や光などのエネルギの刺激により、容易にAsから離れて結晶中に飛び出していき、この電子が電気伝導を生じる自由電子となる。すなわちごくわずかのAsを加えることによって電流が流れやすい状態になる。

 

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図4・4 N形ゲルマニウムの結晶構造

 

 

 

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