2・8 その他の機器及びケーブル
2・8・1 半導体整流装置(サイリスタ整流器を含む)
半導体整流装置については、次のような試験が行われるが、3〜8は参考試験としている。
(1) 絶縁抵抗試験
整流素子(ダイオード)及びサイリスタを短絡し、充電部分と大地との間の絶縁抵抗を500V以上の絶縁抵抗計で測定し、1MΩ以上あることを確認する。
(2) 耐電圧試験
(a) 整流素子及び主回路電位を受ける付属装置の充電部分と大地との間に、次の算式による値の交流電圧(実効値)を1分間加える。ただし、直流電圧が100V未満の場合は、最低電圧を1500Vとすることができる。
試験電圧(V)=15EPi+1000(最低2000V)
ここに、EPiは定格交流電圧において半導体整流器に内蔵された整流スタックの端子間に現れる動作逆電圧の最大値を示す。
(b) 異常電圧吸収装置の端子間に試験電圧がかかるような場合にはその接地側をとりはずして試験する。
(c) サイリスタ整流器のトリガ装置の端子のうち主回路電位にあるものは一括短絡し、大地電位又は補助回路電位にあるものは接地する。
(3) 無負荷(軽負荷)電圧試験
整流器の交流電圧を定格交流電圧の110%に1分間以上保って運転し、交流電圧、直流電圧、交流電流、直流電流、トリガ装置の動作状態を確かめる。
なお、電源電圧の波形はなるべく正弦波に近く、周波数は定格周波数とする。
(4) 低電圧通電試験
(a) 低電圧において定格直流電流に等しい電流を10分間以上通じ異常ないことを確かめる。
(b) 変換回路のアームのサイリスタ又は整流ダイオードが並列に接続されているときは電流分担を測定する。この場合、定格直流電流が1000A未満の場合は省略してよい。また、測定が困難な場合は試験の実施について使用者と製造者間で協議すること。
(c) 電源電圧の波形はなるべく正弦波に近く、周波数は定格周波数とする。サイリスタの場合、直流側は短絡あるいは低抵抗をそう入し交流電圧及びゲート位相制御の調整により直流電流を試験値に調整する。
(5) 保護装置動作試験
(a) 保護ヒューズ、短絡器、整流素子劣化検出装置、継電器などの連動動作あるいは表示動作を試験し確認する。
(b) 試験は製作者が被試験装置について各個に提示した方法による。ただし保護ヒューズの動作試験においては、実際に溶断させず、その検出装置の作動を試験する。
