幅器としてよく使用される。エミッタ接地は増幅率が大きく一般によく使用されているので，ここではエミッタ接地増幅回路について述べる。

図3･2に低周波用のエミッタ接地トランジスタ増幅回路の一例を示す。図の回路は図2･19(b)の負荷として抵抗R_Lを使用し，結合コンデンサC_Cを通して次段と結合しているので，CR結合増幅回路と呼ばれている。トランジスタはNPN形のものなので，コレクタ側が(+)になるように電源が接続されている。

　

(1) バイアス回路

図3･2の回路において，入力信号がまだ加えられていない場合を考える。バイアス抵抗R₁，R₂を適当に選び，V_BEが図2･3(?)のカットオフ電圧より高くなるとベース電流I_Bが流れはじめ，同時にコレクタ電流I_Cが流れはじめる。このときエミッタ電圧V_EはI_Cのため，R_E×I_C(I_BはI_Cに比べてきわめて小さいので省略できる。)にまで上がるが，V_BEがカットオフ電圧以上であれば，I_BとI_Cは流れ続け，回路は動作状態となる。このI_Bをベース・バイアス電流と呼び，同回路のR_Eも含めたバイアス回路を電流帰還形と呼ぶ。このほかにも固定バイアス回路，自己バイアス回路がある。

ベース・バイアス電流の必要性は次のように説明される。(以下，直流に重畳される交流電圧・電流は小文字で表す。)図3･3において(a)のベース・

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