に対応している。また，ゲートが二つに分かれていて4本足のものもある。

図2･26はMOS形のFETの基本構造を示したものである。MOSとは上から金属(G電極)，酸化被膜そして半導体があるからで，MetalのM，OxideのO，Semi-conductorのSの三層からなっていることからそう名付けられたものである。このようなときに，電極DとSの間にV_DSという電圧を加えても，D電極に接続されているN形半導体と，P形の基板の間は逆バイアスになっているので電流は流れない。ところが，金属電極Gにマイナスの電圧V_GSを加えると薄い酸化被膜S₁O₂を通してP形基板に電界がかゝり，P形半導体内の電子がG電極の下に集まってきて，電子が余分になる逆転層ができて，D(ドレーン)とS(ソース)の間にチャンネルができるので，電流を流すことができるようになる。こうして，G(ゲート)に加えられる電圧によってDS間の電流を制御することができることになる。

　

2･5 規格表の見方

2･5･1 トランジスタとダイオードの名称

トランジスタとダイオードの名称はJISにより表2･1のように定められている。

　

2･5･2 規格表の例

表2･2に例として2SC372，2SC373の規格表を示す。最大定格，電気特性，h定数の各項目につ

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