形の二種類があり，図2･24の記号で表される。外観は普通のトランジスタと変わらない。FETと普通のトランジスタの大きな相違は，2･3･2章で説明したようにトランジスタが電流で制御されるのに対して，FETは電圧で制御されるというところにある。そのためにFETの入力インピーダンスはきわめて大きく，接合形で10⁷〜10¹¹Ω，MOS形で10¹⁰〜10¹⁴Ω程度である。

　

2･4･2 FETの動作原理

図2･25は接合形FETの基本構造を示したものである。図のようにN形半導体の両側にソースとドレインと呼ばれる電極があり，その中間にP形のゲートと呼ばれる電極がある。

いま，図のようにソースとドレイン間に電池V_DSをつなぐと，ソースに注入された電子は(+)のドレイン電極のほうに引きつけられ，ドレインからソースに向かって電流が流れる。この電流の流れる部分をチャンネルと呼び，この場合はN形半導体なのでNチャンネルと呼ばれる。次にソースとゲート間に，逆バイアス(ゲートが(-))になるように電池V_GSをつなぐと，ゲート付近の電子は反発されて図に示すように空乏層を生じ，しかもこの空乏層は逆バイアス電圧が高くなるほど広がるので，ソース・ドレイン間の電流は制限を受けることになる。このことから，ソース・ゲート間に入力信号電圧を加えることにより，ソース・ドレイン間の電流(出力電流)が変化して，信号の増幅が行えることがわかる。ゲートにN形半導体をチャンネル部にP形半導体(Pチャンネル)を用いるものもある。ソースがトランジスタのエミッタに，ドレインがコレクタに，ゲートがベース

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