係を示したもので、V_CE-I_C特性又はコレクタ特性と呼ばれる。この図からh_FEとh_oeが求められ、また、トランジスタの動特性も同時に考察することができる。図(?)はV_CE一定のときのI_BとI_Cの関係を示したもので、h_FEを与え、かつ、h_feは同曲線のこう配から求められる。図(?)はベース・エミッター間電圧V_BEとI_Bの関係を示したもので、h_ieは同曲線のこう配から求められる。なお、I_Bの流れ始めるV_BEをカットオフ電圧と呼び、この値はゲルマニュウムトランジスタで0.1V程度、シリコントランジスタでは0.6V程度である。

(6)最大定格

これはトランジスタの寿命と信頼性を保つために、たとえ瞬時でも超えてはならないという最大の値を示したものである。

?　コレクタ・ベース間耐圧V_CBO

エミッタを開放したときの、ベースとコレクタ間の最大許容電圧である。この状態で流れる逆バイアス電流がコレクタ遮断電流I_CBOである。

?　コレクタ・エミッタ間耐圧V_CEO

ベースを開放したときの、コレクタとエミッタ間の最大許容電圧である。

?　エミッタ・ベース間耐圧V_EBO

コレクタを開放したときの、エミッタとベース間の最大許容電圧である。この状態での逆バイアス電流がエミッタ遮断電流I_EBOである。なお、?、?は通常の使用状態における最大許容電圧であるが、?は何かの条件により逆電圧がエミッタ・ベース間にかかった場合の最大許容電圧である。

?　最大許容コレクタ電流I_cmax

トランジスタ回路で、コレクタ電流が増加してある値以上になると増幅

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