図4・20のようにエミッタを開放し、コレクタ・ベース間に逆方向バイアス電圧を加えたときに流れる電流をコレクタ遮断電流といい、I_CBOで表す。この値は小さい方が望ましいが温度の増加に対して指数関数的に増加する。なお、この値はシリコントランジスタの方が、ゲルマニュウムトランジスタよりはるかに小さい。

(3)遮断周波数

f_a=f_β/β_O

またβが1になる、すなわち増幅しな

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