レーザーダイオード；
PN接合ダイオードに順方向に電圧を加えエネルギー注入(励起)してレーザ発光させるのでインジェクションレーザとも呼ばれる。電子と正孔は軌道や自転を変えたりして互いに近付くとエネルギー状態が変化してその差分△Eに対応した周波数νの光を発生する。これが自然放出発光現象でダイオードが発光する。この関係は
ΔE＝hν (1・39)
ここで、hはプランク定数、h＝6.62×10-20(ジュール・秒)である。さらに電子と正孔の密度を高くしておくとこの光の刺激により再結合を起こし誘導放出によりレーザ発光を生じてレーザダイオードとなる。半導体にガリウム・砒素、GaAsを用いると波長ν＝0.84μmの赤外線が発光する。接合面に垂直な両端両面間でレーザ共振器の作用をする。レーザダイオードは加える電圧を信号で変化させることから容易に光を変調することができる。小型で簡単にレーザ光が得られるが光の純度(コヒーレンス)が悪く、大電力が得られない欠点がある。
