PN接合ダイオードに逆方向電圧を加えると接合部分の電子と正孔が離れて並び図1・32に示すように接合部分(空乏層という)がコンデンサと同じ作用をする。印加電圧Vの大きさで空乏層の幅が変化して容量が変化できるので電圧制御の同調回路とチューナー等に使用されている。

容量の大きさCは

となる。Sは空乏層、dは間隔で印加電圧Vの関数となる。

εは誘導電率である。

　

図1・32　可変容量ダイオードと等価コンデンサ

　

フォトダイオード(トランジスタ)と光伝導セル；

図1・33に光に感応する素子を示す。半導体へ光によりエネルギーが注入されると電子や正孔が移動速度を増して抵抗が低くなる。(a)は光による抵抗変化を生ずる棒光電池である。(b)と(c)はPN接合部分に光を当てて起電力とする光電池である。PN接合部にはエネルギー差があり電子や正孔(キャリヤーという)が移動できないが光を当てるとエネルギー差が低くなりPからN方向へ電流が流れるので外部へ電池として取り出せる。(c)はNPNのトランジスタ構造により電流が増幅され起電力が大きくなる。(d)と(e)は合金接合型で広い面に光を当てられるので効率が大きくなる。半導体材料によりある波長の光に最大感度を示す。

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