(2)　コレクタ遮断電流

図4・20のようにエミッタを開放し、コレクタ・ベース間に逆方向バイアス電圧を加えたときに流れる電流をコレクタ遮断電流といい、ICBO で表す。この値は小さい方が望ましいが温度の増加に対して指数関数的に増加する。

　

図4・20　コレクタ遮断電流の測定

　

なお、この値はシリコントランジスタの方が、ゲルマニュウムトランジスタよりはるかに小さい。

(3)　遮断周波数

図4・21にα、βの周波数依存性を示す。

　

図4・21　電流増幅率数依存性

　

α、βの低周波(270Hz)における値α₀,β₀　より3dB(α₀,β₀の0.707倍、1/√2)減少する周波数をα、βの遮断周波数と呼び、それぞれfα、fβで表す。両者の間には次の関係がある。

　

図4・22　トランジスタの黒い箱

　

fα=fβ/β₀

　

またβが1になる、すなわち増幅しなくなる周波数をトランジッション周波数と呼び、fTで表す。規格表にはこの値が表示されている。

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