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通信講習用 船舶電気装備技術講座(GMDSS)基礎理論編

 事業名 船舶の電気装備に関する技術指導
 団体名 日本船舶電装協会 注目度注目度5


に対応している。また,ゲートが二つに分かれていて4本足のものもある。

図2・26はMOS形のFETの基本構造を示したものである。MOSとは上から金属(G電極),酸化被膜そして半導体があるからで,MetalのM,OxideのO,Semi-conductorのSの三層からなっていることからそう名付けられたものである。このようなときに,電極DとSの間にVDSという電圧を加えても,D電極に接続されているN形半導体と,P形の基板の間は逆バイアスになっているので電流は流れない。ところが,金属電極Gにマイナスの電圧VGSを加えると薄い酸化被膜S1O2を通してP形基板に電界がかゝり,P形半導体内の電子がG電極の下に集まってきて,電子が余分になる逆転層ができて,D(ドレーン)とS(ソース)の間にチャンネルができるので,電流を流すことができるようになる。こうして,G(ゲート)に加えられる電圧によってDS間の電流を制御することができることになる。

047-1.gif

 

2・5 規格表の見方

2・5・1 トランジスタとダイオードの名称

トランジスタとダイオードの名称はJISにより表2・1のように定められている。

 

2・5・2 規格表の例

表2・2に例として2SC372,2SC373の規格表を示す。最大定格,電気特性,h定数の各項目につ

047-2.gif

 

 

 

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更新日: 2018年11月10日

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