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通信講習用 船舶電気装備技術講座(GMDSS)基礎理論編

 事業名 船舶の電気装備に関する技術指導
 団体名 日本船舶電装協会 注目度注目度5


形の二種類があり,図2・24の記号で表される。外観は普通のトランジスタと変わらない。FETと普通のトランジスタの大きな相違は,2・3・2章で説明したようにトランジスタが電流で制御されるのに対して,FETは電圧で制御されるというところにある。そのためにFETの入力インピーダンスはきわめて大きく,接合形で107〜1011Ω,MOS形で1010〜1014Ω程度である。

 

2・4・2 FETの動作原理

図2・25は接合形FETの基本構造を示したものである。図のようにN形半導体の両側にソースとドレインと呼ばれる電極があり,その中間にP形のゲートと呼ばれる電極がある。

いま,図のようにソースとドレイン間に電池VDSをつなぐと,ソースに注入された電子は(+)のドレイン電極のほうに引きつけられ,ドレインからソースに向かって電流が流れる。この電流の流れる部分をチャンネルと呼び,この場合はN形半導体なのでNチャンネルと呼ばれる。次にソースとゲート間に,逆バイアス(ゲートが(-))になるように電池VGSをつなぐと,ゲート付近の電子は反発されて図に示すように空乏層を生じ,しかもこの空乏層は逆バイアス電圧が高くなるほど広がるので,ソース・ドレイン間の電流は制限を受けることになる。このことから,ソース・ゲート間に入力信号電圧を加えることにより,ソース・ドレイン間の電流(出力電流)が変化して,信号の増幅が行えることがわかる。ゲートにN形半導体をチャンネル部にP形半導体(Pチャンネル)を用いるものもある。ソースがトランジスタのエミッタに,ドレインがコレクタに,ゲートがベース

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更新日: 2019年5月18日

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