圧降下分を引いた値がD₁の降伏電圧よりも高ければD₁には電流が流れつづけ、TR₁のエミッタ電圧はD₁の降伏電圧に維持されることになる。一方、TR₁のベース電圧V_BはR₂×V_O/(R₁+R₂)で表され、V_Oの値によって変動する。V_Oが高くなるとV_Bも高くなりTR₁のV_BEが増す。そのためTR₁のコレクター電流が増加し、R₄による電圧降下も増大しTR₂のV_BEが下がる。その結果TR₂のコレクタ・エミッタ間の抵抗が増すので、TR₂での電圧降下が大きくなりV_Oが減少する。結局、TR₁でD₁の降伏電圧を基準としてV_Bの電圧変動を検出し、TR₂の内部抵抗を変動させてV_Oを常に一定に保とうとしていることになる。TR₂には最大コレクタ電流の大きなものを使う必要がある。

TR₂の代わりに図5・48に示すように、トランジスタを2個、3個と用い(ダーリントン接続と呼ばれている。)V_Bの電圧変動を増幅して安定化の効果を増す回路も用いられる。

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