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−4. 空間距離及び沿面距離は、次により決定する。（図H2.7.1−1.参照）
なお、以下においてミクロ環境条件の汚染度3とは、規則H編2.7.1−2.に示す保護状態及び周囲条件を意味する。
（1）空間距離は、裸充電部間の最短距離で決定し、ミクロ環境条件の汚染度3は規則H編表H2.10、ミクロ環境条件の汚染度1及び2はそれぞれ表H2.7.1−2.及び表H2.7.1−3.に示す値を最小とする。
（2）沿面距離は、裸充電部間にある絶縁物の表面に沿った最短距離で決定し、ミクロ環境条件の汚染度3は規則H編表H2.10、ミクロ環境条件の汚染度1及び2はそれぞれ表H2.7.1−2.及び表H2.7.1−3.に示す値を最小とする。ただし、絶縁物の表面に次のみぞが存在するものでは、そのみぞはないものとして決定する。
| （a） |
ミクロ環境条件の汚染度3で、定格絶縁電圧が 250V以下のもの及びミクロ環境条件の汚染度2で、定格絶縁電圧が 125Vを超えるものにあっては、みぞの幅又は深さ1mm未満の場合。 |
| （b） |
ミクロ環境条件の汚染度3で、定格絶縁電圧が 250Vを超えるものにあっては、みぞの幅又は深さ2mm未満の場合。 |
（3）前（1）及び（2）において、裸充電部間の途中に金属体があり、絶縁物が分割される場合には、次のいずれかによる。
| （a） |
分割された絶縁物のうち、最大のものが規則H編表H2.10、表H2.7.1−2.及び表H2.7.1−3.の値以上であればよい。 |
| （b） |
分割された絶縁物のうちの大きなもの二つの和が規則H編表H2.10、本要領表H2.7.1−2.及び表H2.7.1−3.の値の1.25倍以上であればよい。ただし、分割された絶縁物が、ミクロ環境条件の汚染度3で、定格絶縁電圧
250V以下のもの及びミクロ環境条件の汚染度2で定格絶縁電圧 125Vを超えるものにあっては、1mm未満、並びにミクロ環境条件の汚染度3で、定格絶縁電圧が
250Vを超えるものにあっては、2mm未満のものは除外する。 |
（4）前（1）及び（2）において、裸充電部間の絶縁物面にリブがある場合、その高さが次の関係にあればその沿面及び空間距離は、これを除外して決定する。
| （a） |
ミクロ環境条件の汚染度3で定格絶縁電圧 250V以下のもの及びミクロ環境条件の汚染度2で定格絶縁電圧が 125Vを超えるものにあっては、リブの高さ1mm未満の場合。 |
| （b） |
ミクロ環境条件の汚染度3で、定格絶縁電圧が 250Vを超えるものにあっては、リブの高さ2mm未満の場合。 |
（5）前（1）及び（2）において、充電部間にある絶縁物に他のリブをはめ込む場合、そのはめ込み部分の長さが絶縁物のみぞの深さより小さい場合には、リブのはめ込み部分に沿った最短距離で沿面距離を決定する。
（6）前（5）でリブを同一絶縁物とみられるようにはめ込んだ場合は、リブの表面に沿った最短距離で沿面距離及び空間距離を決定する。
（7）対地空間距離及び対地沿面距離は、それぞれ（1）及び（2）に準じ、最短距離で決定する。
（8）絶縁が劣化することによって、充電部となる絶縁金属体を有するものの空間距離及び沿面距離は、（3）によって決定する。
図H2.7.1−1. 絶縁距離の決定方法
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