それぞれの特徴を真空管回路と対応して示してある。(a)はベース接地型、(b)はエミッタ接地型である。(c)はコレクタ接地型と呼ばれる回路で電圧増幅度は約1となるが出力抵抗が低く、大きい電流増幅度が得られるのでインピーダンス変換器として多く用いられている。図は真空管増幅回路とトランジスタ増幅回路を対応させてある。真空管の電極とトランジスタの電極との間は、真空管のカソードKとエミッタE、グリッドGとベースB及びプレーとPとコレクタCがそれぞれ対応している。
1・3・7 電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor; FET)―FETの構造、記号
図1・41FETの構造を示す。PとN型半導体を用いるが真空管と類似な動作をするもので、N型半導体のドレイン電極Dからソース電極Sに電流を注入すると電子は電流と逆に移動する。この電子流を挟むP型部分にあるゲート電極Gにマイナスの電圧をかけると電子を通さない空乏層が生じて電子流が制御される。
