(3) 定電圧ダイオード 普通のPN接合ダイオードは逆バイアスにすると電流をほとんど流さないが、P形及びN形半導体中の不純物の量が多いダイオードは、図2・10のように逆バイアス電圧がある値に達すると逆方向電流が急激に増加する。これをツェナー現象と呼び、ダイオード自身もこの名前を取ってツェナーダイオードと呼ばれる。また、逆方向電流が急激に増加する電圧を降伏電圧と呼んでいる。このダイオードを逆バイアスで用いると、電圧が降伏電圧よりも高くなろうとすると電流を流して、その電圧を降伏電圧に保とうとするので、この現象を利用して定電圧回路に用いられる。図中に示すように、不純物の濃度により降伏電圧が異なる。
(3) 定電圧ダイオード
普通のPN接合ダイオードは逆バイアスにすると電流をほとんど流さないが、P形及びN形半導体中の不純物の量が多いダイオードは、図2・10のように逆バイアス電圧がある値に達すると逆方向電流が急激に増加する。これをツェナー現象と呼び、ダイオード自身もこの名前を取ってツェナーダイオードと呼ばれる。また、逆方向電流が急激に増加する電圧を降伏電圧と呼んでいる。このダイオードを逆バイアスで用いると、電圧が降伏電圧よりも高くなろうとすると電流を流して、その電圧を降伏電圧に保とうとするので、この現象を利用して定電圧回路に用いられる。図中に示すように、不純物の濃度により降伏電圧が異なる。
図2・10 ツェナーダイオードの電圧電流特性
(4) 可変容量ダイオード バリキャップとか、バラクタダイオードなどと呼ばれるもので、ダイオードの両端にかかる逆バイアス電圧の大きさによって静電容量が変化する。 その原理は図2・11のように、逆バイアス電圧の大きさにより、空乏層の幅が変化することを利用している。図2・12はその特性の一例を示し、これでわかるように、逆電圧が高いほど空乏層は拡がり、容量が減少する。
(4) 可変容量ダイオード
バリキャップとか、バラクタダイオードなどと呼ばれるもので、ダイオードの両端にかかる逆バイアス電圧の大きさによって静電容量が変化する。
その原理は図2・11のように、逆バイアス電圧の大きさにより、空乏層の幅が変化することを利用している。図2・12はその特性の一例を示し、これでわかるように、逆電圧が高いほど空乏層は拡がり、容量が減少する。
図2・11 可変容量ダイオードの動作
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