ICの単位となっているトランジスタとの相違点は、基板であるシリコンを幾つもの用途に使うことで、このため一枚の基板を、動作的には独立の素子に分離しなければならない。このためには、P型の基板であれば、図6・2の(a)に示すようにN型の部分を作って分離(PN接合分離)したり、同図(b)に示すようにSiO2の絶縁層を作ったり(絶縁層分離)、あるいは素子の部分を削り落としたり(空気層分離)する。
ICの中に抵抗を作るには、半導体自身を抵抗に使う場合と、SiO2の上に薄膜を付けてそれを抵抗にする場合とがある。コンデンサはダイオードの障壁を使うときと、SiO2の膜を利用する場合とがある。
