EMl SUPPRESSION FILTER
■特長 1.半導体ICの入出力端子に侵入してくる静電サージを効果的に吸収し、サージの侵入によるICの破壊を防止します。 2.薄型、低背形状ですので高密度実装に適しています。 [当社従来エミフィル(DSS306)に比ぺ体積比57%] ■用途 コンピュータおよび周辺機器、複写機、通信端末器等の半導体保護、EMI対策 ■定格(VFR303-351AY25)
■特長
1.半導体ICの入出力端子に侵入してくる静電サージを効果的に吸収し、サージの侵入によるICの破壊を防止します。
2.薄型、低背形状ですので高密度実装に適しています。
[当社従来エミフィル(DSS306)に比ぺ体積比57%]
■用途
コンピュータおよび周辺機器、複写機、通信端末器等の半導体保護、EMI対策
■定格(VFR303-351AY25)
■挿入損失特性(代表値)
■使用法
静電気サージ侵入側に(1)番端子(●のついた端子)を接続してください。(方向性がありますのでご注意ください。) ●挿入損失測定回路 デジタル信号回路での使用状況により近付けるため、50Ω-3kΩ系の測定回路で測定しています。
静電気サージ侵入側に(1)番端子(●のついた端子)を接続してください。(方向性がありますのでご注意ください。)
●挿入損失測定回路
デジタル信号回路での使用状況により近付けるため、50Ω-3kΩ系の測定回路で測定しています。
資料2-16
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