(これをウエハーという)が，これをそのまま使う方法と，エピタキシャル成長(epitaxial growth)と称して，シリコンの単結晶を反応管の中に入れて加熱し，四塩化けい素(SiCl⁴)と水素(H²)の混合ガスを送り込んで，その表面にシリコンを折曲させて層を作る方法とがある。

この前記混合ガスの水素の代わりに炭酸ガス(CO₂)を使用すると，シリコンの酸化膜(SiO²)が成長する。

こうして作ったシリコンの酸化膜に図4・1に示すように，感光剤を塗り，これに写真の感光をさせて現像をすると，露光をしていない感光剤は溶け去るので，そのあと，蝕刻液でその部分の酸化膜を溶かして，シリコン部分を露出させて，残った感光剤は除去する。こうやってできたシリコンの露出部には，ドナーやアクセプタの不純物を“部分的に”拡散させたり，SiO₂上に薄膜を付着させたりする。さらに，必要に応じて電極を圧着する。

　

ICの単位となっているトランジスタとの相違点は，基板であるシリコンをいくつもの用途に使うことで，このため一枚の基板を，動作的には独立の素子に分離しなければならない。このためには，P型の基板であれば，図4・2の(a)に示す

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