がある度を越すと,絶縁物を貫通して火花放電が起こる。そして電流が流れ絶縁物としての機能がなくなる。このような現象を絶縁破壊といい,その破壊にまでいたらない,耐えうる最大電圧を耐電圧という。 1・5・4 半導体 半導体は通常の状態では,導体と不導体との中間的の電気抵抗をもっている。いろいろの物質について電気抵抗率を示せば図1・8のとおりである。
がある度を越すと,絶縁物を貫通して火花放電が起こる。そして電流が流れ絶縁物としての機能がなくなる。このような現象を絶縁破壊といい,その破壊にまでいたらない,耐えうる最大電圧を耐電圧という。
1・5・4 半導体
半導体は通常の状態では,導体と不導体との中間的の電気抵抗をもっている。いろいろの物質について電気抵抗率を示せば図1・8のとおりである。
シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),セレン(Se),テルル(Te)などの元素は半導体である。 不純物をまったく含まない半導体を真性半導体といい,例えば,不純物を含まないけい素やゲルマニウムはこれに属する。これと違って不純物を加えた半導体を不純物半導体といい,不純物の種類によっては電気伝導が主として電子によって行われる場合をN形半導体,また,正のあな(正孔)による場合をP形半導体という。前記のけい素やゲルマニウムは不純物を加えて用いられる。
シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),セレン(Se),テルル(Te)などの元素は半導体である。
不純物をまったく含まない半導体を真性半導体といい,例えば,不純物を含まないけい素やゲルマニウムはこれに属する。これと違って不純物を加えた半導体を不純物半導体といい,不純物の種類によっては電気伝導が主として電子によって行われる場合をN形半導体,また,正のあな(正孔)による場合をP形半導体という。前記のけい素やゲルマニウムは不純物を加えて用いられる。
真性半導体の電気伝導がなぜ行われるか簡単に説明する。 真性半導体のゲルマニウムの結晶では隣りあったいくつかの原子が,それぞれの外側の軌道上の電子を図1・9に示すように共有して結合した結晶をつくっている。 この結晶力はやや弱く,常温
真性半導体の電気伝導がなぜ行われるか簡単に説明する。
真性半導体のゲルマニウムの結晶では隣りあったいくつかの原子が,それぞれの外側の軌道上の電子を図1・9に示すように共有して結合した結晶をつくっている。
この結晶力はやや弱く,常温
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