図1・35　トンネルダイオード直列増幅器

　

R_D、は、-100Ωの負性抵抗のトンネルダイオード、e_Sは信号源、R_Lは負荷抵抗、R_Zは回路が発振しないための整合抵抗とする。R_Dがないとき負荷R_Lに現れる出力電圧をV₁とするとR_D＝0とおいて

となり、101倍の増幅器が簡単に実現できる。トンネルダイオードは直流からマイクロ波までの増幅、発振、検波、デジタル回路等に使用されている。

　

1・3・6　トランジスタ素子―PNP型、NPN型、電流増幅率、基本回路

トランジスタはPNP型又はNPN型のように3つを接合した電子素子である。図1・36にPNP型、図1・37にNPN型トランジスタの構成と記号をそれぞれ示す。PNP型とNPN型では電源の接続極性が逆となることに注意が必要である。電流が逆向きに流れるので接続を間違えるとトランジスタが破壊することがある。

前ページ　　　目次へ　　　次ページ