(2)　コレクタ遮断電流

図4・20のようにエミッタを開放し、コレクタ・ベース間に逆方向バイアス電圧を加えたときに流れる電流をコレクタ遮断電流といい、I_CBOで表す。この値は小さい方が望ましいが温度の増加に対して指数関数的に増加するなお、この値はシリコントランジスタの方が、ゲルマニュウムトランジスタよりはるかに小さい。

　

図4・20　コレクタ遮断電流の測定

図4・21　電流増幅率の周波数依存性

図4・22　トランジスタの黒い箱

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