であるが，接合されると接合面で電子がN形からP形のほうへ，ホールを埋めようとして移動する。しかし，ある程度移動するとN形半導体は(-)の電荷を持った電子が少なくなるので，全体としては(+)となり，電子を引き戻そうとする。またP形半導体は(-)の電荷を持った電子が入ってくるので全体としては(-)となり，電子を押し返そうとする。したがって，P形が(-)，N形が(+)になった状態で定常状態に達する。このためP形半導体とN形半導体の間には電位差を生じていることになり，これを電位障壁と呼んでいる。また，接合面付近では，電子がホールを埋めているのでキャリアが存在しない領域がある。これを空乏層と呼んでいる。
このダイオードの両端に電極を設け，図2･6(b)のようにN形側に(+)，P形側に(-)の電圧を加えると，N形半導体中の電子は(+)電極の方へ引き寄せられてN形半導体の(+)電位はさらに大きくなる。一方，P形半導体中へはホールを埋めようと電子が流れ込み〈みかけ上はホールが(-)電極に引き寄せられる。)P形半導体の(-)電位はさらに大きくなる。したがって電位障壁は大きくなり，また接合部付近のキャリアが不足して空乏層が拡がり，電流はほとんど流れない状態となる。
次に，図2･6(C)に示すようにP形側の電極に(+)，N形側の電極に(-)の電圧を加えると，N形半導体中の電子は接合面のほうへ，P形半導体中の電子は(+)電極に引き寄せられ，このためホールは接合面のほうへ押される。したがって電位障壁は小さくなり，電子はP形半導体のほうへ，ホールはN形半導体のほうへ侵入してゆく。一方，電池の(-)電極からは電子が次々と供給され，(+)電極へは電子が吸いとられてゆくので電流は流れ続ける。
このようにダイオードは電圧の加え方によって，図2･7に示すようにある方向では電流をよく流し，反対方向では電流をほと
