動したことになる。結晶に電界が加えられている場合には，電子は電界とは逆方向に移動するから，ホールは電子とは逆に電界の方向へ移動することになる。(+)の電荷を持ったホールが移動するのであるから，これに伴い電流も生じることになり，これを正孔電流と呼んでいる。

　

2･1･4 N形半導体とP形半導体

Ge結晶を作るときに，不純物として価電子を5個もった物質，例えば砒素Asを添加するとGe原子の来るべき位置にAsの原子が図2･4のように入りこむ。このとき5個の価電子のうち4個は周囲のGe原子と共有されるが，残る1個の電子には共有される相手がない。このような電子は，外部からの熱や光などのエネルギの刺激により，容易にAsから離れて結晶中に飛び出してゆき，この電子が電気伝導を生ずる自由電子となる。すなわちごくわずかのAsを加えることによって電流が流れやすい状態になる。このような結晶の電気伝導は(-)の電荷(Negative charge)を持った電子によって生じるのでこの結晶をN形半導体という。結晶をN形にする不純物をドナーといい，燐，砒素，アンチモンなどの5個の価電子をもった原子からなる物質が用いられる。

一方，3個の価電子を持つ物質，例えばインジュウムInを不純物として添加した場合の結晶は図2･5のようになる。すなわち3個の価電子を持つ不純物原子は周囲の4個のGe原子と完全な結合ができず，したがってこの不純物原子の回りには初めからホールが1個あることになる。このホールには近くの結合部分の電子が容易に移動できる状態になるので，ホールがGe結晶の他の結合部分まで移動し正孔を作ることになる。この場合は電子の移動方向と反対方向

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