やや不便で余り使われないが、動作周波数範囲が広いので高周波用等特別な場合に使用される。コレクタ接地回路はエミッタフォロアともいい、入力インピーダンスが非常に高く、出力インピーダンスが非常に低いので、バッファ増幅器としてよく使用される。エミッタ接地は増幅率が大きく一般によく使用されているので、ここではエミッタ接地増幅回路について述べる。

図5・2に低周波用のエミッタ接地トランジスタ増幅回路の一例を示す。図の回路は図4・19(b)の負荷として抵抗R_Lを使用し、結合コンデンサC_Cを通して次段と結合しているので、CR結合増幅回路と呼ばれている。トランジスタはNPN形のものなので、コレクタ側が(+)になるように電源が接続されている。

(1)バイアス回路

図5・2の回路において、入力信号がまだ加えられていない場合を考える。バイアス抵抗R₁、R₂を適当に選び、V_BEが図4・23(?)のカットオフ電圧より高くなるとベース電流I_Bが流れはじめ、同時にコレクタ電流I_Cが流れはじめる。このときエミッタ電圧V_EはI_Cのため、R_E×I_C(I_BはI_Cに比べてきわめて小さいので省略できる。)にまで上がるが、V_BEがカットオフ電圧以上であれば、I_BとI_Cは流れ続け、回路は動作状態となる。このI_Bをベース・バイアス電流と呼び、同回路のR_Eも含めたバイアス回路を電流帰還形と呼ぶ。このほかにも固定バイアス回路、自己バイアス回路

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