現在実用されているのは殆んどがシリコントランジスタである。トランジスタの3極はPNP形，及びNPN形の夫々につき図7・4のように示される。即ちPNP形接合の場合は，一方のP形をエミッタE，他のP形をコレクタC，中央のN形をベースBと呼ぶ。回路図記号で表示する場合は一般に図7.4に示す表示法による。

トランジスタの動作を最も多く採用されているエミッタ接地の接続の場合について次に説明する。

図7・5に示すように，コレクタCに負の電圧を，エミッタEに正の電圧を加えると，BとCとの間にPN接合部に電流阻止方向の逆電圧がかかったことになるので，BとCの間には殆んど電流は流れない。次でエミッタEに正，ベースBに負となるような電圧(バイアス電圧)を加えると，EB間のPN接合に対し，順方向電圧がかかったことになるのでエミッタEの正孔は(+電荷に相当)はベースに向って流れ込む。ところがベース層は極めて薄いので，大部分の正孔はベース層を通り抜けてコレクタCとの境界面に達する。

ここまで来ると正孔はコレクタCに加えられている負の電圧により引張られてコレクタ側に急に吸い込まれる。しかしベース層を通過する際，正孔の一部はベース領域内で電子(-電荷)と結合して中和するのでベースから不足分の電子の補給を受けるために直流I_Bが流れる。エミッタに流れ込んだ正孔即ちエミッタ電流の大部分はコレクタ直流電流I_Cとなる。電流I_E，I_B及びI_Cの間にはI_E=I_B+I_Cなる関係がある。

エミッタ接地の場合のトランジスタの出力静特性の一例を図7・6に示す。

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